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MGSF2N02EL, MVSF2N02EL
TYPICAL CHARACTERISTICS
350
5
300
T J = 25 ° C
4
QT
250
200
3
150
Ciss
2
Q1
Q2
100
Coss
50
Crss
1
I D = 3.6 A
T J = 25 ° C
0
0
4
8
12
16
20
0
0
1
2
3
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE, (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V DD = 16 V
I D = 2.8 A
V GS = 4.5 V
t f
t r
t d(off)
t d(on)
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
0.3
1
1
10
100
0
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation vs.
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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